用于电磁干扰预评估的功率PIN二极管建模研究进展
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作者单位:

同济大学,同济大学,同济大学,同济大学

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中图分类号:

TN312.4

基金项目:

国家“八六三”高技术研究发展计划(2011AA11A265)


Research Progress of Power PIN Diode Model for Electromagnetic Interference Pre evaluation
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    摘要:

    对高压大功率PIN二极管的各类微观动态模型的基本假设条件、核心原理和实现过程进行了详细分析,分别从有效性、收敛性、精确程度、计算效率、参数获取难度等方面对各类模型进行比较和评价.在此基础上,对模型的改进方向进行了展望,为PIN二极管模型的优化及其在电磁干扰(EMI)预评估领域的应用提供支撑.

    Abstract:

    The basic hypothesis, core principal and implementation process of various types of micro dynamic model for high voltage high power PIN diode are analyzed in detail. Moreover, comparison and evaluation of models are made on the aspect of validity, convergence, accuracy, computational efficiency and difficulty of obtaining model parameters. On this basis, the improvement direction of the power PIN diode model is discussed, which will provide support for the model optimization and its applications on electromagnetic interference(EMI) pre evaluation.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

张逸成,张佳佳,韦莉,姚勇涛.用于电磁干扰预评估的功率PIN二极管建模研究进展[J].同济大学学报(自然科学版),2015,43(4):0617~

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  • 收稿日期:2014-05-27
  • 最后修改日期:2014-12-31
  • 录用日期:2014-12-03
  • 在线发布日期: 2015-04-20
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