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基于C1型Bell三角形单元的挠曲电效应分析  PDF

  • 庄晓莹
  • 李彬
同济大学 土木工程学院,上海 200092

中图分类号: O343.1

最近更新:2022-11-21

DOI:10.11908/j.issn.0253-374x.22286

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摘要

采用C1连续性Bell三角形单元,进行了挠曲电效应的机理研究,求解了厚壁筒的平面应变边值问题,并利用挠曲电结构的非对称性产生压电效应。通过算例分析,验证了Bell单元的准确性和收敛性,研究了梯度弹性理论中内禀尺度对挠曲电结构变形的影响,分析了挠曲电的尺寸效应。该工作为挠曲电效应分析和结构设计提供了基础和依据。

力电耦合效应广泛存在与各种材料之中,包括人工和天然材料。自然界的很多生物功能都是力电耦合的,如听觉感知、与动作有关的神经元突起等。这些现象激发了对此相关机理的研究,并开发可以模仿它们的新材料。在所有力电耦合效应中,研究最多的就是压电效应,它是应变和极化之间的力电耦合效应。

pi=eijkεjk (1)

式中:pi是电极化;eijk为三阶压电系数;εjk为应变。压电效应是由晶体内原子的相对位移引起的,只存在于非中心对称晶体中。

不同于压电效应的应变与极化的耦合,挠曲电效应是应变梯度与极化或者应变与极化梯度的耦合。

pi=fijklηjkl (2)

式中:fijkl为四阶挠曲电系数;ηjkl为高阶应变。挠曲电效应产生的原因是晶体材料局部对称性的变化。传统宏观尺度上应变梯度较小,挠曲电效应可以忽略不计,但在微纳尺度上结构可以产生很大的应变梯度,使得挠曲电效应在纳米尺度上和压电效应相当。挠曲电效应存在于所有晶体类型中,并在超过居里温度时仍然出现。相比压电效应,挠曲电效应更为普遍,而且它还能产生压电不具备的其他力电功能,关于挠曲电效应理论及相关应用可见以下文献综

1-7

固体材料结构随着特征尺度的减小表现出明显的尺度效应,但经典连续介质力学本构关系中不包含任何尺度参量,无法描述微构件力学性能的尺寸效应,因此需要引入长度标度,如梯度弹性理论。Mindlin在1965年提出了一个梯度弹性理

8,该理论中,应变能密度被认为是应变和一阶、二阶应变梯度的函数,从而应力σ、应变ε的本构关系可以写9

σ=λ(I-c1I2-c2)trε+2G(1-c32)ε (3)

式中:c1c2c3是三个具有长度平方量纲的独立梯度参数;λG为Lamé常数;I为单位张量;为微分算子;2为拉普拉斯算子;tr为迹运算;为张量积运算。当c2=0c1=c3=l2时,式(3)就是在挠曲电效应分析中常见的拉普拉斯型梯度弹性本构方程:

σ=λ(trε)I+2Gε-l222Gε+λ(trε)I (4)

式中:l即为材料单参数的内禀尺度。由于挠曲电效应中涉及应变梯度,要求插值函数至少C1连续,传统的有限元方法采用拉格朗日插值往往仅具备C0连续。常见的应用于挠曲电效应分析的方法有混合有限元方

10-11、无网格方12-13、等几何方14-15。混合有限元方法中,位移和位移导数是相互独立的变量,它们的运动学关系需要额外的自由度施加约束,从而使得格式较为复杂。对于无网格方法和等几何方法,它们不是插值类型的单元,因此不容易处理复杂的边界条件,在商用软件中也不容易扩展。C1型有限单元开始用于平板的受弯分析,相关学者开发了一系列的C1型有限单16,其中Argyris三角形单元也用于挠曲电效应的分17,但对于C1型有限单元在挠曲电效应分析的研究还很少。

本文主要研究Bell三角形单元,它是由Argyris单元简化而来,其节点自由度包含位移及全部的一阶和二阶导数,Bell单元已经被用于许多梯度弹性问题的求

18-20。基于梯度弹性理论,给出了Bell单元分析挠曲电效应的一般格式,并通过数值算例验证了Bell单元的准确性和收敛性,分析了内禀尺度对结构变形的影响。此外,利用挠曲电结构的非对称性设计压电结构,阐述了相关原理,并说明了挠曲电的尺寸效应。

1 挠曲电效应

不考虑压电效应,对于各向同性挠曲电材料,电焓密度H

10可以表示为

H=12λεjjεkk+Gεjkεjk+12l2(λεjj,iεkk,i+2Gεjk,iεjk,i)-f1εjj,iEi-2f2εij,iEj-12κEiEi (5)

式中:εij为应变,定义为εij=12(ui,j+uj,i),其中u为位移;Ei为电场强度,定义为Ei=-ϕ,i,其中ϕ为电势;f1f2为挠曲电材料两个相互独立的系数;κ为介电系数;l为材料内禀长度,它在梯度弹性理论(式(4))中引入。

本构方程可表示为

σjk=Hεjk=λεiiδjk+2Gεjk (6)
τijk=Hηijk=Hεjk,i=l2(λεmm,iδjk+2Gεjk,i)-                                      f1Eiδjk-2f2Ejδik (7)
Di=H(-Ei)=κEi+f1εmm,i+2f2εji,j (8)

式中:σjk为应力;τijk为高阶应力;Di为电位移;ηijk为高阶应变,定义为ηijk=εjk,i

平衡方程可推得:

σjk,j-τijk,ij+bk=0 (9)
Di,i-ρ=0 (10)

式中:bk为体积力;ρ为体自由电荷。

2 C1型三角形单元

Argyris三角形单元(图1)和Bell 三角形单元(图2)是两种重要的C1型三角形单元。对于Argyris单元,单元自由度包括节点位移w及其一阶、二阶导数,以及三边中点法向导数。位移插值为五次函数,边界上的法向导数插值为四次函数。然而,边中节点法向导数自由度会显著增大单元刚度矩阵的带宽,这三个自由度可通过角节点的位移导数消去,即为Bell单元。对于Bell单元,位移的插值依然是五次函数,而边界上的法向导数插值变为三次函数。挠曲电效应是四阶偏微分方程问题,故Argyris和Bell单元均满足完备性和协调性要求,当划分单元足够小,有限元解趋近于精确解。

图1  Argyris三角形单元

Fig. 1  Argyris triangle element

图2  Bell三角形单元

Fig. 2  Bell triangle element

Bell三角形单元是基于插值函数的协调单元,便于建模和施加复杂的边界条件,也很容易在商用软件中扩展。 对于挠曲电效应分析,Bell单元每个节点有18个自由度,分别是位移、电势以及它们的一阶、二阶导数。

挠曲电效应弱形式可表达为

V(σ:δε+τδη-DδE)dV=VbδudV+ΓttδudΓ-VρδϕdV-ΓDωδϕdΓ (11)

式中:btρω分别为体积力、面积力、体自由电荷和表面电荷密度。

离散后,单元内部的位移场和电势场可表示为

u=Nuve (12a)
ϕ=Nϕφe (12b)

式(12)中:veφe分别为单元节点位移和电势;NuNϕ分别为单元位移和电势形函数,定义为

                Nu=N1N60N7N120N13N1800N1N60N7N120N13N18 (13)
Nϕ=N1N6N7N12N13N18 (14)

式中:N1~N18取值为

N1=L15+5L14L2+5L14L3+10L13L22+10L13L32+20L13L2L3+30r21L12L2L32+30r31L12L22L3 (15)
N2=c3L14L2-c2L14L3+4c3L13L22-4c2L13L32+4(c3-c2)L13L2L3-(3c1+15r21c2)L12L2L32+(3c1+15r31c3)L12L22L3 (16)
N3=-b3L14L2+b2L14L3-4b3L13L22+4b2L13L32+4(b2-b3)L13L2L3+(3b1+15r21b2)L12L2L32-(3b1+15r31b3)L12L22L3 (17)
N4=12c32L13L22+12c22L13L32-c2c3L13L2L3+(c1c2+52r21c22)L12L2L32+(c1c3+52r31c32)L12L22L3 (18)
N5=-b3c3L13L22-b2c2L13L32+(b2c3+b3c2)L13L2L3-(b1c2+b2c1+5r21b2c2)L12L2L32-(b1c3+b3c1+5r31b3c3)L12L22L3 (19)
N6=12b32L13L22+12b22L13L32-b2b3L13L2L3+(b1b2+52r21b22)L12L2L32+(b1b3+52r31b32)L12L22L3 (20)

式中:L1L2L3为面积坐标;bicirij定义为

bi=yj-yk (21)
ci=xk-xj (22)
rij=bibj+cicjbi2+ci2 (23)

式中:xjyj为坐标值;ijk的取值采用指标轮换,即1→2,2→3,3→1。N7~N18的取值也采用同样的指标轮换。

应变ε、高阶应变η及电场E的取值为ε=(ε11 ε22 2ε12)Tη=(η111 η122 2η112 η211 η222 2η212)TE=(E1 E2)T,可计算为

                          ε=Buve                                                   (24a)                 η=Huve                                                 (24b)             -E=Bϕφe (24c)

式中:BuHuBϕ分别为位移形函数的梯度矩阵、海森矩阵和电势形函数的梯度矩阵。

式(12)和(24)代入弱形式方程(11),可得如下单元节点平衡方程:

KuuKuϕKϕuKϕϕvφ=FvFϕ (25)

式中:vφ分别为结构整体位移和电势;结构整体耦合刚度矩阵和节点载荷矩阵表达为

Kuu=ev(BuTCBu+l2HuTQHu)dv (26)
Kuϕ=ev(HuTfTBϕ)dv (27)
Kϕu=ev(BϕTfHu)dv (28)
Kϕϕ=ev(-BϕTκBϕ)dv (29)
Fv=ev(NuTb)dv+eΓt(NuTt)dΓ (30)
Fϕ=-ev(NϕTρ)dv-eΓD(NϕTω)dΓ (31)

式中:材料参数CQfκ所对应的矩阵为

C=λ+2Gλ0λλ+2G000G (32)
Q=l2C00C (33)
f=f1+2f2f1000f200f2f1f1+2f20 (34)
κ=κ00κ (35)

3 算例

Bell三角形单元通过Abaqus用户单元子程序UEL实现,采用TECPLOT进行结果的后处理。本文首先通过厚壁筒内外表面受压下变形的数值解与理论值的对比,验证Bell单元的准确性,讨论内禀尺度对结果的影响。然后,利用挠曲电结构的非对称性设计产生压电效应,并研究挠曲电的尺寸效应。

3.1 厚壁筒平面应变问题

图3为一厚壁筒,它的内径r0为10 μm,外径r1为20 μm,其受到内外表面电势差1.0 V作用。此外,内外径施加指定的位移载荷,内径位移ur0为0.045 μm,外径位移ur1为0.05 μm,挠曲电材料参数取值参照文献[

10],见表1

图3  厚壁筒模型

Fig. 3  Model of cylinder

表1  挠曲电材料参数
Tab. 1  Material properties of flexoelectricity
λ / GPaG / GPal / μmf1 / (μC·m-1f2 / (μC·m-1κ / (nC·V-1·m-1
53.461 5 80.192 3 2 1.0 1.0 1.0

不考虑体自由电荷,将本构方程(6)—(8)代入平衡方程(9)、(10),可得:

ϕ,ii-fκ2ui,i=0 (36)
(λ+G)(1-l022)ui,ik+G(1-l22)uk,ii=0 (37)

将方程(37)用极坐标系表示为

(1-l022+l02r2)(2u(r)-u(r)r2)=0 (38)

其中:

f=f1+2f2 (39)
l02=l2-f2(λ+G)κ (40)

由于厚壁筒结构的对称性,位移和电势只与半径有关,方程(38)的解可表示

10-11

u(r)=C1r+C21r+C3I1(rl0)+C4K1(rl0) (41)

从而,电势的解可表示为

ϕ(r)=C5ln(r)+C6+fκ(du(r)dr+u(r)r) (42)

其中:I1K1为一阶修正的第一类和第二类贝塞尔(Bessel)函数,方程(41)和(42)有C1~C6共6个未知数,可以通过如下6个边界条件求得:

urr=r0=ur0, urr=r1=ur1 (43)
ϕrr=r0=0, ϕrr=r1=1 V (44)
τrrrr=r0=τrrrr=r1=0 (45)

厚壁筒的切向位移和电势均为零,沿筒壁厚度方向径向位移的理论解以及不同网格密度的数值解见图4。对于比较稀疏的网格(环向48个单元,径向5个单元),数值解也与理论解吻合得很好。呈环状的位移云图也反映了位移仅与半径有关。图5为不同网格密度下,径向位移数值解与理论解误差绝对值的对数坐标图 (两端点由于施加位移约束,误差过小,因此略去)。总体来讲,随着网格密度的增加,数值解与理论解的误差减少。当网格比较稀疏,误差在对数坐标下的曲线呈现比较明显的振荡。径向网格数量为20和40的误差曲线大致重合。图6为筒壁厚度方向电势的理论解和数值解对比,稀疏网格会造成数值解与理论值略有偏差,当径向网格数量为20时,数值解与理论值位移曲线几乎重合。图7为不同网格密度下,径向电势数值解与理论解误差绝对值的对数坐标图(端点值略去)。随着网格的加密,误差同样减少,当径向网格数量加密到20时,误差曲线已较为光滑,数值解收敛。从图5图7中可以看出,此时径向位移和电势数值解与理论解的误差绝对值分别小于10-5 μm和10-2 V。位移和电势的数值解与理论值对比说明了Bell三角形单元的准确性与解的收敛性。

图4  位移ur的理论解和不同网格密度的数值解

Fig. 4  Theory solution and numerical solutions of different mesh grids of ur

图5  位移ur的理论解和不同网格密度的数值解误差绝对值

Fig. 5  Absolute value of ur error between theory solution and numerical solutions of different mesh grids

图6  电势ϕr的理论解和不同网格密度的数值解

Fig. 6  Theory solution and numerical solutions of different mesh grids of ϕr

图7  电势ϕr的理论解和不同网格密度的数值解误差绝对值

Fig. 7  Absolute value of ϕr error between theory solution and numerical solutions of different mesh grids

材料的内禀尺度l对径向位移的影响见图8,网格密度设为188×20,即环向188个单元,径向20个单元。从图中可以看出,数值解同样与理论解完全重合。此外,内禀尺度l越小,径向位移曲线弯曲程度越大,即径向应变(ur/r)的梯度越大,这也可以从图9中更直观地看出。材料系数Q反映了高阶应力与高阶应变的关系,其表达式中含有内禀尺度的平方项,因此较大的内禀尺度会减小结构的应变梯度。在挠曲电材料计算中,内禀尺度大都直接设定,其取值方法需要进一步研究。

图8  不同内禀尺度下的位移ur的解

Fig. 8  Solutions of ur for different intrinsic lengths

图9  不同内禀尺度下的应变梯度ur''

Fig. 9  Strain gradient ur'' for different intrinsic lengths

3.2 利用挠曲电材料结构的非对称性产生压电效应

相比压电材料,挠曲电效应存在于所有电介质中,而且不受居里温度的限制。挠曲电效应的一个重要应用就是利用挠曲电材料(非压电材料)设计结构产生压电效

21-22。在正方形中心开孔,当受到均匀拉力时,结构内部由于应力分布不均匀就会产生应变梯度。但如果开孔是上下左右均对称,如圆形等,结构的平均电极化仍为零。因此,产生非零电极化需要利用开孔的不对称性,如图10所示的三角形结构。结构边长S为1 μm,开孔三角形的内接圆半径r为0.4 μm,左边位移和电势均为零,右边施加1.02×10-4 N·μm-1的线荷载F,此问题设为平面应变问题。

图10  三角形开孔的正方形结构

Fig. 10  Square structure with a triangular hole

不同内禀尺度下,结构右边电位移D1(水平方向)如图11所示。由于结构的对称性,电位移曲线沿y = 0.5 μm轴对称。当内禀尺度较大时,电位移很小,而当内禀尺度较小时,电位移则比较显著,这是由于较大的内禀尺度减弱了结构的应变梯度。右侧电位移D2(竖直方向)如图12所示,此时电位移曲线沿中轴反对称,电位移D2沿边线的积分为零。由于结构是上下对称、左右非对称的,电位移才会出现上述的对称和反对称性,这也说明了开孔需是非对称的才可以产生压电效应。与图11类似,当内禀尺度较小时,结构中会产生更大的应变梯度,电位移D2会更为显著。

图11  不同内禀尺度下的电位移D1

Fig. 11  Electric displacement D1 for different intrinsic lengths

图12  不同内禀尺度下的电位移D2

Fig. 12  Electric displacement D2 for different intrinsic lengths

挠曲电材料一个重要特点是尺寸效应,即挠曲电效应在小的尺度下尤为显著。对于许多材料,挠曲电系数很小,但在纳米尺度下,挠曲电效应非常强,而不能忽略。当逐渐缩小结构边长S,由微米尺度到纳米尺度(内禀尺度和荷载以相同比例缩小),结构的电位移D1图13所示。随着结构尺寸的减小,结构电位移随之增大。结构尺寸每减小10倍,电位移相应增大10倍左右。这一特点有利于微纳尺度下挠曲电材料结构设计。

图13  不同结构大小的电位移D1

Fig. 13  Electric displacement D1 for different structure sizes

4 结语

本文基于Bell三角形单元进行了挠曲电效应的分析。Bell三角形单元是C1型协调单元,便于处理复杂边界条件,也很容易在商用软件中扩展。给出了在挠曲电分析中Bell单元的一般格式,并在数值算例中验证了它的准确性和收敛性。梯度弹性理论中引入的内禀尺度,可以用来预测微小尺度材料和结构中的尺度效应。较大的内禀尺度会减小结构的应变梯度,减弱正向挠曲电效应产生的电位移。此外,本文还利用结构的非对称性产生压电效应,通过电位移的分布阐述了相应的原理。挠曲电效应会随着结构尺度的减小显著增大,这有利于其在微纳尺度中的应用。

Bell三角形单元的一个劣势是其节点自由度较多,另外它扩展到三维单元还存在一定难度。本文采用了单参数的内禀尺度,其取值大都直接给出,此外还有学者采用多个内禀尺度参数进行挠曲电效应的分

23。Bell单元的计算效率、扩展问题,以及内禀尺度的选取,都需要进一步研究。

作者贡献声明

庄晓莹: 学术指导,研究方法,撰写论文,论文修改。

李彬: 理论推导,数值计算,撰写论文。

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