摘要
采用
力电耦合效应广泛存在与各种材料之中,包括人工和天然材料。自然界的很多生物功能都是力电耦合的,如听觉感知、与动作有关的神经元突起等。这些现象激发了对此相关机理的研究,并开发可以模仿它们的新材料。在所有力电耦合效应中,研究最多的就是压电效应,它是应变和极化之间的力电耦合效应。
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式中:是电极化;为三阶压电系数;为应变。压电效应是由晶体内原子的相对位移引起的,只存在于非中心对称晶体中。
不同于压电效应的应变与极化的耦合,挠曲电效应是应变梯度与极化或者应变与极化梯度的耦合。
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式中:为四阶挠曲电系数;为高阶应变。挠曲电效应产生的原因是晶体材料局部对称性的变化。传统宏观尺度上应变梯度较小,挠曲电效应可以忽略不计,但在微纳尺度上结构可以产生很大的应变梯度,使得挠曲电效应在纳米尺度上和压电效应相当。挠曲电效应存在于所有晶体类型中,并在超过居里温度时仍然出现。相比压电效应,挠曲电效应更为普遍,而且它还能产生压电不具备的其他力电功能,关于挠曲电效应理论及相关应用可见以下文献综
固体材料结构随着特征尺度的减小表现出明显的尺度效应,但经典连续介质力学本构关系中不包含任何尺度参量,无法描述微构件力学性能的尺寸效应,因此需要引入长度标度,如梯度弹性理论。Mindlin在1965年提出了一个梯度弹性理
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式中:、、是三个具有长度平方量纲的独立梯度参数;和为Lamé常数;为单位张量;为微分算子;为拉普拉斯算子;为迹运算;为张量积运算。当,时,
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式中:即为材料单参数的内禀尺度。由于挠曲电效应中涉及应变梯度,要求插值函数至少
本文主要研究Bell三角形单元,它是由Argyris单元简化而来,其节点自由度包含位移及全部的一阶和二阶导数,Bell单元已经被用于许多梯度弹性问题的求
不考虑压电效应,对于各向同性挠曲电材料,电焓密度[
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式中:为应变,定义为,其中u为位移;为电场强度,定义为,其中为电势;和为挠曲电材料两个相互独立的系数;为介电系数;为材料内禀长度,它在梯度弹性理论(
本构方程可表示为
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式中:为应力;为高阶应力;为电位移;为高阶应变,定义为。
平衡方程可推得:
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式中:为体积力;为体自由电荷。
Argyris三角形单元(

图1 Argyris三角形单元
Fig. 1 Argyris triangle element

图2 Bell三角形单元
Fig. 2 Bell triangle element
Bell三角形单元是基于插值函数的协调单元,便于建模和施加复杂的边界条件,也很容易在商用软件中扩展。 对于挠曲电效应分析,Bell单元每个节点有18个自由度,分别是位移、电势以及它们的一阶、二阶导数。
挠曲电效应弱形式可表达为
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式中:、、和分别为体积力、面积力、体自由电荷和表面电荷密度。
离散后,单元内部的位移场和电势场可表示为
(12a) |
(12b) |
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式中:取值为
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式中:、、为面积坐标;、、定义为
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式中:和为坐标值;i、j、k的取值采用指标轮换,即1→2,2→3,3→1。的取值也采用同样的指标轮换。
应变、高阶应变及电场的取值为,,,可计算为
(24c) |
式中:、和分别为位移形函数的梯度矩阵、海森矩阵和电势形函数的梯度矩阵。
将
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式中:和分别为结构整体位移和电势;结构整体耦合刚度矩阵和节点载荷矩阵表达为
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式中:材料参数、、、所对应的矩阵为
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Bell三角形单元通过Abaqus用户单元子程序UEL实现,采用TECPLOT进行结果的后处理。本文首先通过厚壁筒内外表面受压下变形的数值解与理论值的对比,验证Bell单元的准确性,讨论内禀尺度对结果的影响。然后,利用挠曲电结构的非对称性设计产生压电效应,并研究挠曲电的尺寸效应。

图3 厚壁筒模型
Fig. 3 Model of cylinder
不考虑体自由电荷,将本构方程(6)—(8)代入平衡方程(9)、(10),可得:
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将方程(37)用极坐标系表示为
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其中:
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由于厚壁筒结构的对称性,位移和电势只与半径有关,方程(38)的解可表示
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从而,电势的解可表示为
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其中:和为一阶修正的第一类和第二类贝塞尔(Bessel)函数,方程(41)和(42)有共6个未知数,可以通过如下6个边界条件求得:
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厚壁筒的切向位移和电势均为零,沿筒壁厚度方向径向位移的理论解以及不同网格密度的数值解见

图4 位移的理论解和不同网格密度的数值解
Fig. 4 Theory solution and numerical solutions of different mesh grids of

图5 位移的理论解和不同网格密度的数值解误差绝对值
Fig. 5 Absolute value of error between theory solution and numerical solutions of different mesh grids

图6 电势的理论解和不同网格密度的数值解
Fig. 6 Theory solution and numerical solutions of different mesh grids of

图7 电势的理论解和不同网格密度的数值解误差绝对值
Fig. 7 Absolute value of error between theory solution and numerical solutions of different mesh grids
材料的内禀尺度对径向位移的影响见

图8 不同内禀尺度下的位移的解
Fig. 8 Solutions of for different intrinsic lengths

图9 不同内禀尺度下的应变梯度
Fig. 9 Strain gradient for different intrinsic lengths
相比压电材料,挠曲电效应存在于所有电介质中,而且不受居里温度的限制。挠曲电效应的一个重要应用就是利用挠曲电材料(非压电材料)设计结构产生压电效

图10 三角形开孔的正方形结构
Fig. 10 Square structure with a triangular hole
不同内禀尺度下,结构右边电位移D1(水平方向)如

图11 不同内禀尺度下的电位移D1
Fig. 11 Electric displacement D1 for different intrinsic lengths

图12 不同内禀尺度下的电位移D2
Fig. 12 Electric displacement D2 for different intrinsic lengths
挠曲电材料一个重要特点是尺寸效应,即挠曲电效应在小的尺度下尤为显著。对于许多材料,挠曲电系数很小,但在纳米尺度下,挠曲电效应非常强,而不能忽略。当逐渐缩小结构边长S,由微米尺度到纳米尺度(内禀尺度和荷载以相同比例缩小),结构的电位移D1如

图13 不同结构大小的电位移D1
Fig. 13 Electric displacement D1 for different structure sizes
本文基于Bell三角形单元进行了挠曲电效应的分析。Bell三角形单元是
Bell三角形单元的一个劣势是其节点自由度较多,另外它扩展到三维单元还存在一定难度。本文采用了单参数的内禀尺度,其取值大都直接给出,此外还有学者采用多个内禀尺度参数进行挠曲电效应的分
作者贡献声明
庄晓莹: 学术指导,研究方法,撰写论文,论文修改。
李彬: 理论推导,数值计算,撰写论文。
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